信息存儲應用技術
  • 印刷電子裝置的功能性襯底的制作方法
    本申請要求2016年12月1日提交的美國臨時實用新型專利申請號62/428,878的優先權和權益,其全部內容通過引用合并于此。本發明一般涉及由功能性襯底組件形成的電路裝置。具體地,該襯底具有設計成與印刷電子裝置相互作用以執行機械支撐以外的功能的特性。印刷或真空形成的電子裝置越來越多地用于各...
  • 響應標簽匹配命令的存儲電路的制作方法
    本技術涉及存儲電路領域。有多種技術可用于實現數據處理系統的存儲電路,包括例如SRAM(靜態隨機存取存儲器)、DRAM(動態隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、MRAM(磁阻隨機存取存儲器)。某些類型的存儲技術,例如DRAM,提供按行和列進行組織的存儲位置陣列,并且對于給定存儲...
  • 存儲器裝置、電荷幫浦電路以及其電壓泵激方法與流程
    本發明涉及一種電荷幫浦電路以及一種電壓泵激方法,且特別涉及一種電荷幫浦電路與電壓泵激方法,用以產生一個編程電壓和/或抹除電壓給存儲器裝置。近年來,非易失性的存儲器裝置應用在電子裝置中日益普及,為了在非易失性存儲器裝置中提供編程電壓與抹除電壓,在現有技術中,電荷幫浦電路在非易失性存儲器裝置中...
  • 記憶體測試陣列及其測試方法與流程
    本發明是有關于一種記憶體測試陣列及其測試方法。記憶體是用以儲存數據或數據的半導體元件,主要可分為非揮發性記憶體與揮發性記憶體兩種。隨著科技的蓬勃發展,產業對于記憶體的需求也逐漸提升,例如高可靠度、高擦寫次數、快速的儲存速度以及大容量等。因此,半導體產業持續努力開發各種技術以縮減元件尺寸,并...
  • 存儲器件及其測試方法與流程
    本申請要求于2017年12月8日提交的申請號為10-2017-0168344的韓國專利申請的優先權,其通過引用整體并入本文。本發明的各種示例性實施例涉及一種半導體設計技術,并且更具體地,涉及一種存儲器件的測試操作。存儲器件的存儲單元由用作開關的單元晶體管和用于儲存電荷(數據)的單元...
  • 檢測電路及應用其的存儲器的制作方法
    本發明涉及半導體存儲器,尤其涉及一種檢測電路及應用其的存儲器。存儲器包括陣列分布的多個存儲單元以及多條列信號線,其中,列信號線連接驅動單元以及沿直線縱向分布的存儲單元,也就是說,列信號線貫穿多個存儲單元從驅動單元(近端)一直延伸到遠端,因此,列信號線非常長,容易發生故障,如完全斷裂...
  • 芯片功能自動化測試方法、裝置和計算機設備與流程
    本發明涉及固態硬盤,特別是涉及一種芯片功能自動化測試方法、裝置、計算機設備和存儲介質。目前,隨著固態硬盤技術的發展,對于芯片的測試效率要求越來越高,具體地,在芯片進行測試時,需要使用多種測試程序對芯片進行測試,以生成完整的芯片測試報告。在傳統技術中,傳統的芯片測試多采用人工接管芯片...
  • 存儲器完整性的檢驗方法、非易失性存儲器以及電子裝置與流程
    本發明涉及一種存儲器的檢驗技術,尤其涉及一種存儲器完整性的檢驗方法、非易失性存儲器以及電子裝置。在不供電期間中仍可長時間儲存數據的非易失性存儲器(如,快取存儲器)是諸多電子裝置中的必要組件之一。非易失性存儲器的可靠度問題與其自身的數據保留(dataretention)生命期限有關,換句話...
  • 用于執法記錄儀存儲介質的壞區標識方法及系統與流程
    本發明涉及一種存儲介質壞區標識方法及系統,特別涉及一種用于執法記錄儀存儲介質的壞區標識方法及系統。執法記錄儀記錄影像,照片,錄音等資料,需要存儲在存儲介質中,才能保存下來,方便后續隨時查看和使用。存儲介質以扇區為基本單位保存數據,在長期存儲資料過程中,部分扇區遭到損壞,數據存儲在這種扇區,...
  • 用于FPGA的N模冗余配置存儲單元電路的制作方法
    本發明涉及集成電路,涉及一種用于FPGA的N模冗余配置存儲單元電路。自20世紀70年代以來,隨著微電子技術的發展,出現了各種類型的通用型可編程邏輯器件PLD。其中,以基于SRAM的FPGA應用較為廣泛。用戶可以通過軟件對器件編程配置存儲單元SRAM來實現所需的邏輯功能,而不必由自己...
  • 用于人工智能處理的集成電路的制作方法
    本專利文件總體上涉及讀取集成電路中的存儲器單元,并且具體地涉及讀取人工智能芯片中的一次性可編程(OTP)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)中的存儲器單元。存儲器是具有低功率和高性能特性的人工智能(AI)芯片中的重要組件,這是因為每個AI引擎通常由多個存儲器組件組成。存儲器諸如MRAM存儲器中的...
  • 一種存儲器編程方法及相關裝置與流程
    本發明涉及存儲器件,尤其涉及一種存儲器編程方法及相關裝置。存儲器(Memory)是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。作為一種典型的非易失性半導體存儲器,已知的NAND(Not-And,與非型)閃存器由于具有較高的存儲密度、可控的生產成本、合適的編擦速度及保持特性,已經成為存儲市...
  • 一種ROM漏電補償電路及其設計方法和調節方法與流程
    本發明屬于只讀存儲器(ROM),具體而言,涉及一種ROM漏電補償電路及其設計方法和調節方法。只讀存儲器(ROM)是計算機和其他電子設備中使用的一種非易失性存儲器。存儲在ROM中的數據只能讀取,不能修改,因此它主要用于存儲固件。嚴格地說,只讀存儲器是指硬連線的存儲器,例如二極管矩陣和...
  • 半導體存儲器裝置及其操作方法與流程
    本申請要求于2017年12月27日提交的申請號為10-2017-0181079的韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請通過引用全部并入本文。本公開的各個示例性實施例總體涉及一種電子裝置。特別地,實施例涉及一種半導體存儲器裝置及其操作方法。存儲器裝置可以二維結構形成或以三維結構形成,在...
  • 在由線性電源供電的嵌入式系統中實現掉電Flash保存的電路及方法與流程
    本發明涉及一種在由線性電源供電的嵌入式系統中實現掉電Flash保存的電路及方法。在由線性電源供電的嵌入式系統中,一般指單片機系統,工作過程中如果掉電需要進行數據的保存。目前,采用的技術手段為為單片機增加外部非易失性存儲器例如EEPROM或為系統增加后備電池供電,加EEPROM的方案單片機對...
  • 操作非易失性存儲器裝置的方法以及擦除數據的方法與流程
    本發明的示例實施例涉及一種半導體裝置,更具體地,涉及一種非易失性存儲器裝置和操作非易失性存儲器裝置的方法。半導體存儲器裝置通常能夠根據在與電源斷開時它們是否保持存儲的數據而被劃分為兩個類別。這些類別包括:當與電源斷開時丟失存儲的數據的易失性存儲器裝置以及當與電源斷開時保持存儲的數據...
  • 一種減少非易失性閃存塊擦除操作漏電流的方法、裝置與流程
    本發明屬于存儲器讀寫擦除,具體涉及一種減少非易失性閃存塊擦除操作漏電流的方法及裝置。當今,數據存儲是計算機使用中的一項重要功能。非易失性存儲器,是其中重要的一個類型,NORFlash(非易失性閃存)是常用的非易失性存儲器。對于NORFlash產品來說,讀、寫、擦是其最基本的三個...
  • 一種三維存儲器及其編程操作方法與流程
    本發明涉及存儲器,尤其涉及一種三維存儲器及其編程操作方法。隨著微電子產業的發展,半導體存儲器的集成度越來越高。三維存儲器被提出,尤其3DNAND的應用越來越廣泛。3DNAND結構包括多個存儲模塊(Block),每個存儲模塊中包括多個串,每個串中由下往上依次包括下選擇管、下冗余層...
  • 固態硬盤裝置與相關的固態硬盤控制電路的制作方法
    本發明涉及固態硬盤(solid-statedrive,SSD),尤指一種可彈性調整數據編程模式(programscheme)的固態硬盤裝置與相關的固態硬盤控制電路。固態硬盤裝置中包含許多快閃存儲器塊,這些塊通常會被劃分為預留空間塊(overprovisionblock,OPblo...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    本申請享有以日本專利申請2017-252186號(申請日:2017年12月27日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。本發明的實施方式涉及一種半導體存儲裝置。作為半導體存儲裝置,已知有NAND型(Not-And,與非)閃速存儲器。發明內容實施方式提...
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